Nexperia PBSS4130PANP
" (72537)PBSS4130PANP产品质量信息
该资料提供了Nexperia Semiconductors公司生产的PBSS4130PANP型汽车级元器件的质量和可靠性数据。资料内容包括产品型号、订购信息、认证等级、封装类型、晶圆厂、组装厂、静电放电（ESD）测试结果、计算故障率和平均故障间隔时间（MTBF/MTTF）。数据基于AEC-Q101标准，并提供了计算参数和置信水平。
Reliability Results for Product Type PBSS4130PANP
Reliability Results for Product Type PBSS4130PAN
Quality Information for Product Type PBSS4130PAN
China RoHS PBSS4130QA
Nexperia Selection Guide 2021
Nexperia Selection Guide 2020
30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4130T 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
Nexperia NFC antenna protection diodes PESD18VF1Bx and PESD24VF1Bx
PBSS4130T NPN General Purpose Amplifier
BSS4130 General purpose amplification (30V, 1A) Datasheet
Nexperia Logic Translators
Nexperia B.V.和附录中提到的组织的新ISO 14001：2015和ISO 45001：2018证书
Nexperia B.V. 及相关组织获得新的 ISO 14001:2015 和 ISO 45001:2018 认证。由于新冠疫情影响，审计以远程方式进行，有效期限延长六个月。远程审计覆盖所有标准要素，Nexperia 已实施所有纠正措施，并计划在 2021 年 5 月/6 月进行现场监督审计，以确保证书更新。
Nexperia一瞥
Nexperia专注于高体积生产的离散和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC，满足汽车行业严格的品质标准。公司以效率为核心，每年生产超过900亿个半导体产品，产品在工艺、尺寸、功率和性能方面具有行业领先的小型封装。Nexperia在全球拥有超过11,000名员工，业务遍及亚洲、欧洲和美国，提供全球支持。公司在小信号二极管和晶体管、ESD保护器件、PowerMOS汽车、逻辑器件等领域位居行业前列。
Nexperia packing indications Packing letter codes used in orderable part number
Nexperia Home 8550软件开发套件
Nexperia Home 8550软件开发套件（NH-8550 SDK）为开发基于Nexperia PNX8550家庭娱乐引擎的电视、机顶盒和家用媒体服务器产品提供了一套完整的参考平台。该套件包括基于PNX8550的参考硬件、系统软件、AV流媒体软件层、操作系统、演示和示例应用程序、测试流、诊断软件和软件工具。NH-8550 SDK支持全球模拟电视标准的基本功能，包括双路模拟电视信号调谐和解码、数字静态图像格式解码和多种MPEG音频标准解码。此外，SDK还支持多种数据服务捕获和多种可选功能。
Paralleling of Nexperia GaN FETs: How to overcome challenges in Paralleling GaNFETs and increase the power capability of a Power design
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密电热模型
本资料介绍了Nexperia公司提供的电热MOSFET模型，包括如何在LTspice™和PartQuest™ Explore中导入和使用这些模型。资料详细说明了模型的特性、使用方法、能力限制以及如何获取模型。此外，还提供了模型在模拟中的行为示例，包括阈值电压、RDSon、输出特性、二极管特性、体效应、漏电流、击穿电压、电容和栅极电荷等。资料还讨论了模型与数据表之间的比较、模拟技巧和模型的完整模拟有效性范围。
AN90016 Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs
AN90030半桥拓扑结构中Nexperia氮化镓FET的并联应用笔记
本文档为Nexperia公司发布的关于GaN FET在半桥拓扑中并联的应用笔记。内容主要涉及GaN FET在半桥配置中的电路设计和PCB布局建议，包括电流共享、门极驱动设计、散热考虑、布局优化等方面。通过实际测试和数据分析，展示了如何实现GaN FET的均衡电流共享，确保系统稳定性和可靠性。
Nexperia氮化镓FET在半桥拓扑结构中的并联应用笔记
本应用笔记详细介绍了在半桥拓扑中并联Nexperia TO-247 GaN FET时的电路设计和PCB布局建议。内容涵盖GaN FET在半桥配置中的并联设计，包括电流共享、门极驱动设计、DC总线抑制和去耦电容等关键要素。此外，还提供了电路图、PCB布局和物料清单，以帮助设计师实现高效、稳定的GaN FET并联应用。
TN90002 H-bridge motor controller design using Nexperia discretesemiconductors and logic ICs Technical note
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